Самсунг объявила о старте массового производства 8-гигабитных чипов мобильной DRAM-памяти LPDDR4, на базе 20-нанометрового технологического процесса. Новый высокоэффективный чип мобильной памяти позволит продлить время работы батареи и ускорить загрузку приложений на мобильных устройствах с большим экраном и высоким разрешением. LPDDR — это один из самых распространенных типов оперативной памяти для мобильных устройств, который используется по всему миру.
Новый 20-нм 8-Гбит LPDDR4 чип обеспечивает вдвое большую производительность и плотность по сравнению с 4-Гбит LPDDR3 чипами класса 20-нм. Новый 8-Гбит LPDDR4 чип позволяет создать 4-Гбайт модуль LPDDR4.
Благодаря скорости ввода/вывода данных до 3200 мегабит в секунду, что в два раза быстрее, чем у стандартных DDR3 DRAM, используемых в ПК, новый 8-Гбит чип LPDDR4 может поддерживать запись и воспроизведение видео в формате UHD и непрерывную съемку в высоком разрешении более чем 20 мегапикселей.
Рабочее напряжение нового чипа LPDDR4 было снижено на 1,1 В относительно чипов предыдущего поколения LPDDR3, что делает новинку от Samsung решением мобильной памяти с наименьшим потреблением энергии, доступным для смартфонов и планшетов с большим экраном, а также высокопроизводительных систем. Например, при использовании 2-Гбайт модуля на основе 8-Гбит LPDDR4 можно сэкономить до 40% энергии по сравнению с использованием 2-Гбайт модуля на основе 4-Гбит LPDDR3 за счет более низкого рабочего напряжения и более быстрой обработки данных.
Применив технологию swing-terminated logic (LVSTL) для передачи сигналов ввода/вывода, удалось снизить энергопотребление нового чипа LPDDR4 и обеспечить возможность проводить высокочастотные операции при низком напряжении для оптимальной энергоэффективности.
В этом месяце компания Samsung начала выпуск 2-Гбайт LPDDR4 и 3-Гбайт LPDDR4 модулей на основе 8-Гбит и 6-Гбит LPDDR4 соответственно, эти решения уже доступны для производителей процессоров и мобильных устройств, а в начале 2015 года Samsung начнет производство 4-Гбайт модулей памяти LPDDR4.