В этот понедельник в Корее компания Samsung объявила о том, что разработала первый 8 Гб мобильный чип памяти LPDDR4 с низким энергопотреблением и удвоенной скоростью передачи данных. Чип построен на 20-нм процессе и позволяет установить до 1 ГБ памяти на одном кристалле, имея наибольшую плотность на компоненте DRAM. Samsung говорит, что такое решение обеспечивает высокий уровень производительности с низким потреблением энергии. Четыре 8 Гб чипа объединены в единый пакет LPDDR4, что позволит делать смартфоны или другие устройства с 4 ГБ оперативной памяти.
Мобильный 8 Гб LPDDR4 чип позволит быстрее работать приложениям, обеспечит хорошую работу экранов с высоким разрешением, увеличит время работы устройств и позволит выполнять на мобильном устройстве более сложные задачи. Благодаря новому низковольтному LVSTL-интерфейсу ввода/вывода, обеспечивается скорость передачи данных до 3 200 Мб/с. Это в два больше, чем в 20-нм LPDDR3 чипах, которые сейчас используются чаще всего. Новый чип также обеспечивает на 50% более высокую производительность, чем самый быстрый чип памяти DDR3 и использует на 40% меньше энергии.
Новый LPDDR4 чип будет использоваться в устройствах high-end класса и будет массово производиться в 2014 году.
Также можно посмотреть, как компания Samsung развивала мобильные чипы оперативной памяти за последние годы:
- 2009: 256 МБ (50-нм 1 Гб MDDR, 400 Мб/с);
- 2010: 512 МБ (40-нм 2 Гб MDDR, 400 Мб/с);
- 2011: 1 ГБ/2 ГБ (30-нм 4 Гб LPDDR2, 1066 Мб/с);
- Августа 2012: 2 ГБ (30-нм 4 Гб LPDDR3, 1600 Мб/с);
- Апрель 2013: 2 ГБ (20 нано 4 Гб LPDDR3 , 2133 Мб/с);
- Июль 2013: 3 ГБ (20-нм 4 Гб LPDDR3, 2133 Мб/с);
- Ноябрь 2013: 3 ГБ (20-нм 6 Гб LPDDR3, 2133 Мб/с);
- Первая половина 2014: 4 ГБ (20-нм 8 Гб LPDDR4, 3200 Мб/с).
