Mobile Devices

Войдите в свой аккаунт

Intel пообещала ускорить флеш-память в тысячу раз

  • Старый 29.07.2015, 14:06
    Компании Intel и Micron объявили о начале производства нового класса энергонезависимой памяти впервые за последние 25 лет. По словам разработчиков, технология 3D Point обеспечивает в тысячу раз более высокую скорость обмена данными по сравнению со стандартом NAND.



    В Intel подчеркнули, что технология 3D XPoint была создана с нуля. Используемая в новой памяти перекрестная архитектура создает трехмерную «шахматную доску», на которой ячейки памяти размещаются на пересечении числовых линий и разрядных линий, что позволяет в независимом порядке выполнять адресацию. В результате данные могут записываться и считываться небольшими размерами, что приводит к более быстрому и эффективному процессу чтения/записи.

    Помимо высокой скорости, созданная на основе 3D Point память в тысячу раз долговечнее, чем NAND, и имеет в 10 раз более высокую плотность размещения компонентов.

    Преимущества 3D XPoint смогут повысить комфорт пользователей при работе с компьютером. Энергонезависимость технологии также позволяет использовать ее для хранения данных с низкой задержкой — данные не стираются после выключения устройства. Исследователи в области медицины смогут в режиме реального времени обрабатывать и анализировать крупные массивы данных, ускоряя выполнение сложных научных задач, включая анализ генома человека и мониторинг течения заболевания.

    3D XPoint имеет крестообразную структуру. Перпендикулярные проводники объединяют 128 млрд ячеек памяти, каждая из которых хранит один бит данных. Это позволяет добиться высокой плотности и скорости работы. Ячейки размещаются в несколько слоев. Пока технология позволяет хранить 128 ГБ на один кристалл для двух слоев памяти. В будущем можно будет увеличивать количество слоев для масштабирования емкости.

    Доступ и чтение/запись информации в ячейках памяти осуществляется путем изменения значения напряжения, направляемого на каждый селектор. Это позволяет отказаться от необходимости использования транзисторов.

    Пробные поставки продукции на базе 3D XPoint начнутся в этом году. О конечной стоимости такой памяти для потребителей пока говорить рано.

  • Чтобы скачивать фаилы и оставлять сообщения на форуме зарегистрируйтесь

    Похожие темы
    Тема Форум
    нанд флеш Технологии
    помогите заменить внутреннюю память на intel atom (asus me 176cx) Asus
    Приложения из плей маркета не устанавливаются на флеш карту Ремонт и обслуживание
    Телефон Fly IQ 449, проблемы с флеш-картой. Ремонт и обслуживание
    Как подключить Galaxy S2 к компьютеру, чтобы флеш-память и карта были видны как диски? Где выбрать режим "Отладка USB"? Samsung


Powered by vBulletin® Version 3.8.8 Beta 1
Copyright ©2000 - 2024, vBulletin Solutions, Inc. Перевод: zCarot