Компания Samsung Electronics объявила о начале массового производства микросхем с применением усовершенствованного 14-нанометрового технологического процесса LPP Low-Power Plus (LPP). Это уже второе поколение 14-нм технологии изготовления FinFET-транзисторов. Напомним, что в первом квартале прошлого года южнокорейский гигант начал массовое производство процессора Exynos 7 Octa, выполненного по 14-нм техпроцессу LPE первого поколения.
"Мы рады начать выпуск продукции по нашей передовой 14-нм технологии FinFET второго поколения, обеспечивающей высочайший уровень производительности и энергоэффективности. Samsung и далее будет сохранять звание технологического лидера, предлагая усовершенствованные варианты 14-нанометровой FinFET технологии", - заявил исполнительный вице-президент по продажам и маркетингу System LSI Business, Samsung Electronics, Чарли Бэи.
Применение 14-нанометрового техпроцесса второго поколения обеспечит высокую производительность и энергетическую эффективность нового процессора Exynos 8 Octa и множества других продуктов, разработанных партнёрами и выпускающимися по технологии Samsung FinFET. Среди них процессор Snapdragon 820 от Qualcomm Technologies, который появится в мобильных устройствах уже в первой половине этого года.
Внедрение трёхмерной FinFET-структуры в полупроводниковые устройства позволяет добиться значительного увеличения производительности при снижении потребления энергии. Улучшенный 14-нанометровый LPP-процесс обеспечивает увеличение скорости вычислений и снижение потребляемой энергии на 15% по сравнению с предыдущим технологическим процессом за счет улучшенной структуры транзисторов и оптимизации процессов.
Разработка 14-нанометрового технологического процесса второго поколения позволяет удовлетворить растущий спрос в высокопроизводительных и энергоэффективных устройствах в области мобильной связи и Интернета вещей.
